| 641 |
전압정재파비 |
Voltage Standing Wave Ratio |
전송선에서 전압진폭의 최대값과 최소값의 비율. 반사파가 커지면 1 이상 커짐. |
| 642 |
전자 |
Electron |
원자에서 발견되는 음전하를 지니고 있는 가벼운 입자. 전자는 빛과 충돌을 통해 에너지를 얻고, 전자를 뺏을수도 있다. 대부분의 전기적 현상과 플라즈마나 고체에서의 빛 방출에 큰 영향을 끼친다. |
| 643 |
전자 공명 가열 장치 |
Electron Cyclotron Heating: ECH |
전자 공명 가열 장치는 마이크로웨이브를 토카막 플라스마에 입사하여 전이온화 (pre-ionization) 효과를 제공함으로써 KSTAR 플라즈마의 방전전압을 낮추고 운전영역을 확대하는 역할을 한다. 본 장치는 고출력 마이크로웨이브를 발생하는 ‘자이라트론 (Gyrotron)’ 장치와, 자이라트론을 구동하기 위한 전원장치, 마이크로웨이브를 KSTAR로 전송하기 위한 전송선 시스템, 마이크로웨이브를 원하는 방향으로 입사하기 위한 안테나 시스템, 그리고 Loc |
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전자 볼트 |
Electron volt (ev) |
이온과 전자에 적용되는 편리한 에너지 단위. 1볼트의 차이가 있는 두 지점에 놓여진 전자가 얻는 에너지와 같다. 일상 온도의 기체 분자는 0.03eV정도를 가지고 있고, 태양은 0.6eV를, 오로라의 전형적인 전자는 5000eV를, 내방사선벨트는 20,000,000eV를, 지구가까이의 전형적인 우주선 양자는 10,000,000,000eV를, 그리고 우주선에서 가장 높은 에너지는 1,000,000,000 배 더 클 수 도 있다. |
| 645 |
전자 빔 이온 트랩 |
Electron Beam Ion Trap |
EBIT으로 알려졌다시피, 이 장치는 단에너지 전자빔에 의해 충격이 가해진 비중성적 플라즈마를 가두는 이온 트랩을 사용한다. 이 테크닉은 가둬진 전하 이온의 한 종을 만들 수 있고, 어떤 요소나, 어떤 전하 상태의 high-percision 스펙트럼 분석을 가능하게 한다. 더 많은 정보를 위해선 R.E.Marrs et al.의 "Physical Review Letters, v. 60" (p.1715)를 참조. |
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전자 싸이클로트론 가열 |
Electron Cyclotron Heating |
전자 사이클로트론 주파수에서 플라즈마를 가열. 파동의 전기장(플라즈마 전자의 나선형 궤도와 맞는)는 정전기장과 비슷하고, 따라서 큰 가속을 야기시킨다. 가속되는 동안, 전자는 다른 전자나 이온과 충돌하여 가열한다. |
| 647 |
전자 싸이클로트론 공명 가열 |
Electron cyclotron resonant heating |
자기력선 주위를 도는 전자의 공명주파수에 맞추어 가열하는 방식. 고자장 영역에서의 ECRH 입사 |
| 648 |
전자 싸이클로트론 방전 세정 |
Electron Cyclotron Discharge Cleaning |
약하게 이온화되고 플라즈마 진공용기에 필수적으로 가두어지지 않은 수소 플라즈마를 생성하기 위해 낮은 파워의 마이크로파를(전자 사이클론 주파수에서) 사용. 이온은 진공용기의 벽에 붙은 불순물과 반응하며, 용기에서 불순물을 제거하는데 도움을 준다. |
| 649 |
전자 싸이클로트론 방출 |
Electron Cyclotron Emission |
자기장 주위를 도는 전자 싸이클로트론 운동의 결과 방출되는 방사선으로 전자 온도 측정에 사용한다. |
| 650 |
전자 싸이클로트론 방출 |
Electron cyclotron emission |
자기장 주위를 도는 전자 싸이클로트론 운동의 결과 방출되는 방사선으로 전자 온도 측정에 사용한다. |
